一种双键聚合物量子点膜及其制备方法

基本信息

申请号 CN201811614023.6 申请日 -
公开(公告)号 CN109694518B 公开(公告)日 2022-01-28
申请公布号 CN109694518B 申请公布日 2022-01-28
分类号 C08L23/12(2006.01)I;C08L23/14(2006.01)I;C08L25/10(2006.01)I;C08L27/16(2006.01)I;C08L23/06(2006.01)I;C08L23/08(2006.01)I;C08K3/08(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I;C08K3/30(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;C09D129/04(2006.01)I;C09D175/04(2006.01)I;C09D163/00(2006.01)I;C09D7/61(2018.01)I;B32B27/08(2006.01)I;B32B27/06(2006.01)I;B32B27/32(2006.01)I;B32B27/30(2006.01)I;B32B27/18(2006.01)I;B32B33/00(2006.01)I 分类 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物;
发明人 舒维;赵贵红;马雅琳;罗春明;唐安斌;李建学 申请(专利权)人 四川东方绝缘材料股份有限公司
代理机构 成都蓉信三星专利事务所(普通合伙) 代理人 刘克勤
地址 621000四川省绵阳市游仙区三星路188号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种双键聚合物量子点膜及其制备方法,其特征是:该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为10~200μm、B层厚度为18~300μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜,再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜,再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为1~10μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜;该膜的水蒸气透过率为0.01~0.1g/m2·24h,在85℃、85%湿度或60℃、90%湿度下处理1000h,边缘失效0~0.2mm,用于各种显示领域,可增加发光效果,使色彩更加艳丽。