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一种高品质半导体硅材料耗材生长方法

基本信息

申请号 CN201911362831.2 申请日 -
公开（公告）号 CN111270302B 公开（公告）日 2020-06-12
申请公布号 CN111270302B 申请公布日 2020-06-12
分类号 C30B15/08(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李辉;秦英谡;张熠;穆童;郑锴 申请（专利权）人 南京晶升装备股份有限公司
代理机构 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） 代理人 南京晶升能源设备有限公司
地址 211113江苏省南京市南京经济技术开发区恒发路30-1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高品质半导体硅材料耗材生长方法，包括化料、晶体生长、等径生长、冷却的步骤。其中采用在坩埚下方来制造过冷度，避免了坩埚上方热场件上的沉积物散落进坩埚内的可能，避免造成污染，提高晶体品质；整个晶体生长过程中，通过下降坩埚以及控制多段加热器的降温比例，共同营造出一个合理的固液生长界面，有利于结晶时排杂的同时，提高了晶体品质、通过对坩埚下降速度、多段加热器的降温比例及降温速度的调节，保持固液生长界面形状及相对加热器位置不变，保证固液生长界面处的热场环境的稳定，有利于晶体生长，便于工艺控制；整个晶体生长降温过程，采用功率控制方式，较传统温度控制方式更直接、更准确。