一种半导体硅材料晶体生长的图像识别控制方法
基本信息
| 申请号 | CN201911354459.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110983432B | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN110983432B | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | C30B15/26(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李辉;张熠;穆童;秦英谡;毛洪英 | 申请（专利权）人 | 南京晶升装备股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张弛 |
| 地址 | 211113 江苏省南京市南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体硅材料晶体生长的图像识别控制方法，在坩埚上方设有三个摄像机，以计算机测量图像中固相硅的面积，通过摄像机及计算机实时测量液面状况，当发现液面出现液态和固态的变动就会给PLC发出信号，让PLC判断液面熔化情况和晶体结晶，当熔化完成，自动切换到生长状态，当生长完成，自动切换至退火状态，完全不用人工介入，避免由于人工介入误操作引起的良率损失。本发明能够直接准确测量晶体熔化速度和晶体结晶速度，提供硅材料生长过程中的数据，真正实现全工艺过程自动化进行。 |
