一种碳化硅原料合成炉的热场及合成炉

基本信息

申请号 CN202011350688.8 申请日 -
公开(公告)号 CN112725903A 公开(公告)日 2021-04-30
申请公布号 CN112725903A 申请公布日 2021-04-30
分类号 C30B35/00;C30B29/36 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李辉;杨茜;毛瑞川;叶迎海;郭志强;逯文东 申请(专利权)人 南京晶升装备股份有限公司
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 代理人 张弛
地址 211113 江苏省南京市南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种碳化硅原料合成炉的热场,包括坩埚主加热器、辅加热器、保护筒及气路管,该保护筒包括围绕坩埚周向的保护筒侧壁、位于坩埚底部下方的保护筒底壁位于坩埚顶部的顶盖,其中保护筒侧壁位于坩埚与主加热器之间,保护筒底壁位于辅加热器与坩埚底之间;本发明的热场可以使原料在圆周方向及底部区域都均匀受热,避免局部过热或过冷的情况,具有更好的温度均匀性,热场性能加稳定,提高了热效率。石墨保护筒将加热器与粉料隔离,保护加热器在使用过程中不受污染,延长加热器寿命。本发明还提供了一种合成炉,具有上述技术方案中的热场。