一种边界条件可调的腔室及长晶炉
基本信息
| 申请号 | CN202010999395.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112501693A | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN112501693A | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B35/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李辉;毛瑞川;杨茜 | 申请（专利权）人 | 南京晶升装备股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张弛 |
| 地址 | 211113 江苏省南京市南京经济技术开发区恒发路30-1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种边界条件可调的腔室，包括石英管、坩埚、围绕石英管外围设置的电磁感应线圈、围绕石英管及电磁感应线圈外围设置的水冷罩；所述水冷罩的内层壳体、外层壳体均以隔离电磁辐射的材料制成。本发明提供的腔室采用若干组水冷环对石英管进行边界条件调节，水冷罩能够有效的隔离电磁线圈产生的电磁辐射，并通过调节水冷环中冷却水的流量调整对应的热场温度，构建适合晶体生长的多段温度梯度，从而提高晶体良率，同时也便于长晶工艺的定型。本发明还提供了具有上述腔室的长晶炉。 |
