一种沉积装置
基本信息
| 申请号 | CN202023069498.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213977958U | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN213977958U | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | C30B29/40（2006.01）I;C30B25/12（2006.01）I;C30B25/08（2006.01）I;C30B23/02（2006.01）I;C23C14/56（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I;C23C16/54（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈爱华;施广涛;吕青 | 申请（专利权）人 | 中晟光电设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 巩克栋 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区华佗路168号3幢B区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种沉积装置，所述沉积装置包括传输腔以及与所述传输腔相连的至少两个反应腔、缓冲腔和装卸腔；由于氮化物深紫外发光二极管结构所需的铝氮缓冲层与铝镓氮薄膜和镓氮薄膜所需的外延生长的工艺条件差异大，因此本实用新型提出了一种沉积装置反应腔的设计思路，区别于现有技术采用单一反应腔一步式外延生长结构，本实用新型采用两种类型反应腔配置的沉积系统，可以实现以分步集成方式外延生长紫外发光二极管结构，以达到提高深紫外器件的发光效率、良品率及产能，并降低外延生产的成本。 |
