一种提高p型材料层载流子浓度的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610073452.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107026076B | 公开（公告）日 | 2019-12-27 |
| 申请公布号 | CN107026076B | 申请公布日 | 2019-12-27 |
| 分类号 | H01L21/205 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张伟;徐春阳 | 申请（专利权）人 | 中晟光电设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 中晟光电设备（上海）股份有限公司 |
| 地址 | 200120 上海市浦东新区张江高科技园区华佗路168号3幢B区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种提高p型材料层载流子浓度的方法，所述方法为：在采用金属有机化合物气相沉积方法完成GaAs、InP或Ge衬底上外延层生长后的退火阶段，在反应腔中通入AsH3和/或PH3气体。本发明通过在用金属有机化合物气相沉积方法(MOCVD)制备外延层过程中的退火阶段引入气体AsH3(砷烷)和/或PH3(磷烷)，调节和控制气体组成成份以及比例来提升p型材料层(如，p型GaAs、InP、AlGaInP或GaP中任意一种或至少两种的组合)载流子浓度。 |
