腔体结构、化学气相沉积设备及处理腔室
基本信息
| 申请号 | CN201820410565.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208038550U | 公开（公告）日 | 2018-11-02 |
| 申请公布号 | CN208038550U | 申请公布日 | 2018-11-02 |
| 分类号 | C23C16/44 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 金文彬;任立 | 申请（专利权）人 | 中晟光电设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 中晟光电设备（上海）股份有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区华佗路168号3幢B区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体设备腔体结构，腔体结构包括：缓冲腔室；至少一个支撑板，支撑板设置于缓冲腔室内，用于承载半导体制程中的承载盘，其中，支撑板包括：冷却层，用于冷却所述承载盘；表面膜层，形成于冷却层表面，以促进冷却层对所述承载盘进行冷却，通过上述方案，本实用新型提供一种腔体结构，其可以作为MOCVD设备的缓冲腔室，对腔室结构中的冷却结构进行改进，在冷却层的表面形成表面膜层，特别可以是黑色导热膜层，黑色导热膜层更有利于吸附来自承载盘的热量加快承载盘的冷却，并进一步配合水冷水道的热量交换，从而加快在冷却层上的承载盘降温速度。 |
