蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池专利查询专利号|摘要-满商公司网

蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池

基本信息

申请号	CN202110132481.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112968128A	公开（公告）日	2021-06-15
申请公布号	CN112968128A	申请公布日	2021-06-15
分类号	H01L51/42（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C23C18/12（2006.01）I;C23C28/04（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李海明;冯新文;张俊双;姜磊;站文华;郭洪武;周静;曹宇	申请（专利权）人	国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	杜文茹
地址	100031北京市西城区西长安街86号
法律状态	-

摘要

一种蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池，蒸发/水热两步生长锑基薄膜材料的方法，是采用蒸发/水热两步法制备锑基电子传输吸光薄膜，所述的锑基电子传输吸光薄膜是Sb2S3电子传输吸光薄膜、Sb2Se3电子传输吸光薄膜和Sb2S3/Sb2Se3渐变带隙电子传输吸光薄膜中的一种。一种采用锑基薄膜材料制备的锑基薄膜太阳电池，包括有依次叠放的锑基电子传输吸光薄膜、空穴传输层和金属电极层。本发明先用快速热蒸发法生长锑基薄膜，之后采用水热法完成后续薄膜的生长。通过水热法继续生长的锑基薄膜表面平整致密，可以起到钝化锑基薄膜表面缺陷和优化界面特性的效果，有效的解决了因快速热蒸发法所造成的薄膜表面起伏度高，不平整的问题。