一种连续化薄膜真空沉积方法及装置
基本信息
申请号 | CN200910095388.7 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN101463471A | 公开(公告)日 | 2009-06-24 |
申请公布号 | CN101463471A | 申请公布日 | 2009-06-24 |
分类号 | C23C14/56(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 夏申江;金炯;朱志强 | 申请(专利权)人 | 浙江格隆投资管理有限公司 |
代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人 | 赵红英 |
地址 | 310012浙江省杭州市西湖区西湖科技园振中路208号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种连续化薄膜真空沉积方法及装置,它包括以下步骤:通过在真空沉积室的进口设置至少一级进口真空预抽室、在真空沉积室的出口设置至少一级出口真空保护室,以保持真空沉积室内的真空度;各级进口真空预抽室、真空沉积室、各级出口真空保护室之间由狭缝连通,并由设置在狭缝处的阀门密封,基底通过狭缝进入各室,阀门在基底通过时开启,在基底通过后关闭;基底在进入进口真空预抽室和离开出口真空保护室时,至少一个进口阀门和至少一个出口阀门是关闭的,以保持真空沉积室内的真空度不变。调整基底的传送速度使相邻二块基底之间的间距在到达沉积装置前缩小,并使基底在离开真空沉积室时,相邻两块基底之间的间距增大,从而实现薄膜沉积的连续化进行和原材料利用率的极大提高。 |
