一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法和装置专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法和装置

基本信息

申请号	CN200910097899.2	申请日	-
公开（公告）号	CN101525743B	公开（公告）日	2011-06-15
申请公布号	CN101525743B	申请公布日	2011-06-15
分类号	C23C16/448(2006.01)I;C23C16/22(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	夏申江	申请（专利权）人	浙江格隆投资管理有限公司
代理机构	浙江杭州金通专利事务所有限公司	代理人	浙江嘉远格隆能源股份有限公司;中国建材国际工程集团有限公司
地址	310012 浙江省杭州市西湖区西湖科技园振中路208号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法，包括1)将半导体材料填加到坩埚内：用运载气体携带半导体材料通过通道到达置于薄膜真空沉积腔内的坩埚；2)加热坩埚使半导体材料受热升华成气相并沉积在衬底上。本发明的有益效果：用运载气体携带半导体材料通过通道到达置于真空沉积腔内的坩埚内，无需打开薄膜真空沉积腔而直接向薄膜真空沉积装置连续或间隙供应半导体材料，由运载气体携带的半导体材料通过进料分配器均匀地分布在坩埚底部，解决了现有技术中存在的随着半导体材料在玻璃衬底上沉积形成薄膜，坩埚内半导体材料容量随之减少，导致玻璃衬底和原材料之间距离增大的问题，在同一衬底上所得到的薄膜的均匀度能有效控制。