一种防滴液半导体自动刻蚀装置
基本信息
| 申请号 | CN202011065453.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112201595A | 公开（公告）日 | 2021-01-08 |
| 申请公布号 | CN112201595A | 申请公布日 | 2021-01-08 |
| 分类号 | H01L21/67;B08B1/00;B08B15/02;B08B17/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 温妖 | 申请（专利权）人 | 青田林心半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 323900 浙江省丽水市青田县温溪镇富江路107号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体相关领域，公开了一种防滴液半导体自动刻蚀装置，包括主箱体，主箱体内设有刻蚀腔，刻蚀腔后侧设有运输带轮腔，运输带轮腔前端壁和刻蚀腔后端壁之间连通设有连接块腔，运输带轮腔后侧设有传动带轮腔，通过雾化刻蚀液并使其均匀弥漫至半导体掩膜刻蚀槽内，避免因为刻蚀液用量不一而造成刻蚀程度不一的问题，保证了样品的良率，此外，通过设置刻蚀液处理机构，有效清除了凝结在刻蚀腔上壁的刻蚀液和掩膜上多余的刻蚀液，减少液滴滴落在样品上产生的刻蚀不均的情况，而且防止多余刻蚀液进入刻蚀槽而影响到刻蚀效果。 |
