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一种硅片厚度测量装置及测量方法

基本信息

申请号	CN201510023799.0	申请日	-
公开（公告）号	CN104613879A	公开（公告）日	2015-05-13
申请公布号	CN104613879A	申请公布日	2015-05-13
分类号	G01B11/06(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	李俊林	申请（专利权）人	无锡名谷科技有限公司
代理机构	无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙）	代理人	顾吉云
地址	214000 江苏省无锡市锡山经济技术开发区芙蓉二路300号
法律状态	-

摘要

本发明涉及硅片测量技术领域，具体为一种硅片厚度测量装置及测量方法，操作简单，抗干扰能力强，能够方便地测出硅片厚度，其包括顺次布置的激光发射器、分束器、探头、干涉信号接收器，探头包括上探头和下探头，上探头和/或下探头连接电源，上探头、下探头之间设置激光晶体，包括以下步骤：在上探头和下探头之间平放硅片，并在上探头内侧放置激光晶体，上探头连接电源；激光发射器发出的激光通过分束器分出两道激光，其中一道激光穿过激光晶体，另一道激光直接通过上探头和下探头之间干涉信号接收器检测到两束激光的干涉信号得出相位变化量得到硅片和上探头处的激光晶体的距离，将激光晶体放置于下探头内侧重复上述步骤，最后计算得到硅片厚度。