大功率LED芯片制作方法
基本信息
申请号 | CN201210376140.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103715329A | 公开(公告)日 | 2014-04-09 |
申请公布号 | CN103715329A | 申请公布日 | 2014-04-09 |
分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张兴贵 | 申请(专利权)人 | 深圳市三创客科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 518109 广东省深圳市龙华民治街道隔圳新村16栋404(办公场所) | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种大功率LED芯片制作方法,以解决现有技术存在封装热阻高,出光效率低,成本高的问题。步骤一:LED芯片检验镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑,芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整;步骤二:采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm;步骤三:LED点胶,在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶;步骤四:LED备胶,备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上,把背部带银胶的LED安装在LED支架上,备胶的效率远高于点胶;采用本发明达到了降低封装热阻,提高出光效率,降低成本的有意效果。 |
