一种铜片氧化方法
基本信息
| 申请号 | CN202110284530.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113215518A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113215518A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | C23C8/04（2006.01）I;C23C8/12（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 蔡俊;贺贤汉;马敬伟;陆玉龙 | 申请（专利权）人 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 赵建敏 |
| 地址 | 224200江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种铜片氧化方法，将铜片与陶瓷层键合的一面形成特定厚度的氧化层，另一面不形成氧化层。其中，氧化炉内设置有入口、加温区、冷却区以及出口，加温区包括十个温区，各区温度设置如下：一区550℃、二区650℃、三区680℃、四区720℃、五区720℃、六区720℃、七区750℃、八区750℃、九区720℃、十区710℃；氧化炉顶部和底部的进气口处均分别设置有氧气进气管和氮气进气管，氧气的流量设定为38mL/min，氮气的流量设定如下：入口25～35L/min；加温区中一至三区顶部0L/min、四至六区顶部75～85L/min、八至十区顶部75～85L/min、一至十区底部0L/min；冷却区25～35L/min；出口25～35L/min。 |
