一种氮化硅陶瓷制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110671471.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113463198A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113463198A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | C30B29/38（2006.01）I;C30B28/06（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B31/06（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王斌;贺贤汉;葛荘;欧阳鹏;孙泉 | 申请（专利权）人 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 赵建敏 |
| 地址 | 224200江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化硅陶瓷制备方法，包括：S1）多晶硅铸锭：硅粉形核法定向凝固多晶硅铸锭，将80wt％‑95wt％高纯硅粉、1‑10wt％含镁粉末、1‑10％稀土元素粉末混匀后装入底部喷涂有石英砂成核层的石英坩埚内，并装入铸锭炉膛内，铸锭后控制降温速率，形成晶粒大小为0.5μm‑100μm的超细微晶多晶硅锭；S2）多晶硅片制备：将硅锭切割制成厚度为0.1mm‑1mm的多晶硅片；S3）硅片氮化：将多晶硅片堆叠在烧结炉中，硅片间使用带有BN涂层的石墨板隔开，抽真空后，氮气气氛下在氮化温度为1350℃‑1400℃、升温速率为20‑100℃/h、保温时间为1h‑12h的条件下进行氮化，并随炉冷降温；S4）硅片坯体烧结：经氮化烧结的硅片坯体连同治具放置在烧结炉中，采用氮气气氛，在烧结温度1700‑1900℃、氮气压力0.5MPa‑20MPa条件下进行烧结。 |
