沟槽型半导体功率器件
基本信息
| 申请号 | CN201220727199.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203118953U | 公开（公告）日 | 2013-08-07 |
| 申请公布号 | CN203118953U | 申请公布日 | 2013-08-07 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨晓鸾;陈天;武洪建 | 申请（专利权）人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 地址 | 214131 江苏省无锡市滨湖经济开发区高凯路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及沟槽型半导体功率器件，其栅极导出版图设计中包括栅极总线01、多晶硅沟槽03、沟槽侧壁的栅极氧化物04、沟槽内填充的多晶硅栅极05、多晶硅栅极末端06、沟槽多晶硅栅极连接末端12、栅极总线01表面的凸起13、元胞Active区14、第一终端保护环15。本实用新型多晶硅栅极导出方式有效地避免了沟槽型多晶硅栅极末端直接与栅极总线接触，进而可以显著减小或消除沟槽型多晶硅栅极侧壁的氧化物由于尖端存在而导致半导体功率器件的过早击穿现象。 |
