绝缘栅双极型晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201210573752.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102983160A | 公开（公告）日 | 2013-03-20 |
| 申请公布号 | CN102983160A | 申请公布日 | 2013-03-20 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈天;杨晓鸾;季顺黄;武洪建 | 申请（专利权）人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 地址 | 214131 江苏省无锡市滨湖经济开发区高凯路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管集电极由外向内依次设有金属层、P+层、N+层，其特征在于：所述N+层朝向集电极的表面设有多个倒置平顶锥形凹槽，所述倒置平顶锥形凹槽内表面设P+层，所述金属层覆盖于所述P+层及所述N+层上。通过由倒置平顶锥形阵列包围集电极短路点的集电极面积扩展效应，提高了其背发射效率，极大的抑制了现有设计中引入N+型集电极短路点所导致的通态压降的升高现象，避免了通态电阻的增加和焦耳热的增多。 |
