低栅电容的绝缘栅双极型晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201110239216.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102263129B | 公开（公告）日 | 2013-04-03 |
| 申请公布号 | CN102263129B | 申请公布日 | 2013-04-03 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 屈志军;曾祥 | 申请（专利权）人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 地址 | 214131 江苏省无锡市滨湖经济开发区高凯路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种低栅电容的绝缘栅双极型晶体管，包括多晶栅极区poly、掺杂区、氧化层、金属层METAL，多晶栅极区poly设于氧化层内，其特征在于：所述的多晶栅极区poly分为第一区、第二区、所述的第一区设于第二区内，通过环形槽隔开；所述的第一区与金属层METAL间的氧化层设有开口，第一区与金属层METAL通过引线孔连接。新结构相比于传统结构饱和电流下降约50%。 |
