绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法
基本信息
| 申请号 | CN200910100775.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101640186B | 公开（公告）日 | 2011-02-16 |
| 申请公布号 | CN101640186B | 申请公布日 | 2011-02-16 |
| 分类号 | H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 屈志军;曾祥 | 申请（专利权）人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市滨湖区锦溪路100号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明一种绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其首先在衬底表面做IGBT集电极；接着在衬底表面生长N-外延膜；在生长的N-外延膜上做IGBT正面图形；接着再进行衬底背面研磨，最后在衬底背面蒸镀金属膜。通过在衬底上长外延膜在外延膜表面上制作IGBT图形，之后进行背面研磨及蒸镀金属膜工艺，克服了现有技术背面浓p型注入激活率不高及容易发生碎片的缺陷。 |
