耐高压绝缘栅双极型晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201220366638.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202940241U | 公开（公告）日 | 2013-05-15 |
| 申请公布号 | CN202940241U | 申请公布日 | 2013-05-15 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 屈志军 | 申请（专利权）人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 地址 | 214131 江苏省无锡市滨湖经济开发区高凯路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及耐高压绝缘栅双极型晶体管、包括发射极（1）、栅极(2)、集电极(3)，所述发射极（1）与集电极（3）间依次设第一P型半导体层（P）、N型半导体层、第二P型半导体层（4），所述N型半导体层包括漂浮区（N1）、缓冲区，其特征在于：所述的缓冲区从发射极（1）到集电极（3）方向依次设基底层（N2）、注入氢离子的缓冲层（6）、注入P离子、As离子中一种的缓冲层（5）。注入氢离子的缓冲层（6）作为场截止层，可以减小漂浮区（N1）的厚度，达到了减小IGBT的厚度的同时增强了IGBT的耐压能力。 |
