一种制备石墨烯薄膜的装置、方法及所得石墨烯薄膜
基本信息
| 申请号 | CN201110442123.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102492934B | 公开（公告）日 | 2016-05-11 |
| 申请公布号 | CN102492934B | 申请公布日 | 2016-05-11 |
| 分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 彭鹏;金虎 | 申请（专利权）人 | 常州碳时代投资有限公司 |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 常州二维碳素科技股份有限公司 |
| 地址 | 213149 江苏省常州市武进经济开发区祥云路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种通过化学气相沉积法(CVD法)连续制备石墨烯薄膜的装置，其主要由进样室、炉管和出样室组成，生长室高温生长区将一直保持高温生长温度，不用等待升降温的过程，并解决了样品在高温区的传动问题，可以进行不间断的生长，从而大幅度提高用化学气相沉积(CVD)方法制备石墨烯薄膜的产量。 |
