利用写缓存优化存储设备性能
基本信息
| 申请号 | CN201810767761.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109164976B | 公开（公告）日 | 2021-12-31 |
| 申请公布号 | CN109164976B | 申请公布日 | 2021-12-31 |
| 分类号 | G06F3/06（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 孙清涛;殷雪冰 | 申请（专利权）人 | 北京忆恒创源科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京卓特专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 段旺 |
| 地址 | 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼A302室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供利用写缓存优化存储设备性能。所提供的处理向NVM写入数据的写命令的方法，其中提供缓存单元，所述缓存单元包括第一部分和第二部分，该方法包括：接收第一写命令；响应于所述第一写命令对应的数据被写入缓存单元的第一部分，向主机发送指示第一写命令处理完成的第一消息。本申请公开的技术方案至少能够降低“小写”命令带来的延迟，提升处理效率。 |
