集成电路装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111409595.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121791A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114121791A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L21/768（2006.01）I;H01L23/50（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林佳德;赖程义;郝合理;张瑾 | 申请（专利权）人 | 日月光半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林斯凯 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区金科路2300号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例涉及一种集成电路装置及其制造方法。根据本申请的一些实施例，一种用于制造集成电路装置的方法包括以下步骤：在基板上形成具有第一高度的第一金属层；移除第一金属层的部分以形成部分地暴露基板的狭槽；对第一金属层进行图案化以具有第一图案；在第一金属层及经暴露的基板上形成具有第二高度的阻焊层，以填充狭槽并覆盖经暴露的基板，并且部分地暴露第一金属层；在经暴露的第一金属层上以第二图案形成具有第三高度的第二金属层，从而形成集成电路区；在集成电路装置的上方形成保护层；移除集成电路区的一部分所对应的基板的部分、第一金属层的部分、第二金属层的部分以及保护层的部分以形成开槽；且移除剩余保护层。 |
