一种垂直腔面发射激光器、列阵及制作方法
基本信息
申请号 | CN202010112798.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111293585B | 公开(公告)日 | 2021-08-17 |
申请公布号 | CN111293585B | 申请公布日 | 2021-08-17 |
分类号 | H01S5/183;H01S5/323 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张星 | 申请(专利权)人 | 长春中科长光时空光电技术有限公司 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘新雷 |
地址 | 130000 吉林省长春市北湖科技开发区明溪路1759号E305室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器、阵列以及制作方法,垂直腔面发射激光器制作方法。将泵浦光源插入发射光源谐振腔中,利用GaAs材料实现短波800nm至1100nm的泵浦光发射,泵浦光水平振荡;垂直耦合器结构,具备将泵浦光耦合至垂直表面输出及释放InP缓冲层在GaAs上异质外延过程中的晶格失配应力两个方面的作用,从结构上完全避免了传统的InP基长波长垂直腔面发射激光器面临的DBR反射镜折射率差小、热阻大、缺乏有效的光电限制结构,P型InP层电阻较大、发热严重等问题,提高了器件的性能以及可靠性。 |
