一种图像传感器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011619502.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112864181A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112864181A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王欣洋;马成;姜涛 | 申请（专利权）人 | 长春长光辰芯微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 长春中科长光知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高一明;郭婷 |
| 地址 | 130033吉林省长春市经开区营口路588号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底上依次形成氧化物薄膜层和氮化物薄膜层；在所述半导体衬底、所述氧化物薄膜层和所述氮化物薄膜层中形成沟道；在沟道的侧壁上形成N型离子掺杂区；在所述N型离子掺杂区的侧壁上形成P型离子掺杂区，且所述P型离子掺杂区的深度比所述N型离子掺杂区的深度深；沉积所述氧化物薄膜层。本发明还提供了一种图像传感器。通过本发明的图像传感器的制造方法，减少了光产生的电子消失的情况，同时还避免了将电子传输到栅极。 |
