用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置
基本信息
| 申请号 | CN202021176694.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212769880U | 公开（公告）日 | 2021-03-23 |
| 申请公布号 | CN212769880U | 申请公布日 | 2021-03-23 |
| 分类号 | C01B32/164(2017.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 威廉·爱尔兰·米尔恩;骆季奎;汪小知 | 申请（专利权）人 | 杭州英希捷科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 杭州融方专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈相权 |
| 地址 | 311215浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区启迪路198号C座1303室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，包括真空箱，所述真空箱内腔底部的两侧活动连接有卷出辊，所述真空箱内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件，张力调节组件包括两个活动辊，两个活动辊的顶部和底部均固定连接有固定板，真空箱的顶部固定连接有密封件，密封件的底部贯穿真空箱并延伸至真空箱的内部，本实用新型涉及碳纳米管技术领域。该用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，通过在活动辊的顶部和底部设置固定板，配合转动套内的转动杆和调节杆，再利用固定板的转动关系，能够对活动辊的位置进行调节，从而能够对张力进行控制，此结构较为简单，操作方便，易于推广。 |
