NAND闪存芯片的纠错译码方法、存储介质及SSD设备
基本信息
| 申请号 | CN202111233373.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114078560A | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN114078560A | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | G11C29/42（2006.01）I;G06F11/10（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 秦东润;刘晓健;王嵩 | 申请（专利权）人 | 北京得瑞领新科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李丽颖 |
| 地址 | 100192北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园·北领地B-6号楼A座9层A905室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种NAND闪存芯片的纠错译码方法、存储介质及SSD设备，所述方法包括：根据预设的初始判决电压对目标数据页进行读取，得到第一数据序列；对所述第一数据序列进行ECC译码；若译码失败，则采用重读取判决电压对所述目标数据页进行重读取，得到第二数据序列；对所述第一数据序列和第二数据序列进行比较，根据比较结果确定数据序列中对应比特位的可靠度信息；根据所述可靠度信息将第一数据序列或第二数据序列映射为译码软信息；对所述译码软信息进行ECC译码。本发明提出的NAND闪存芯片的纠错译码方法、存储介质及SSD设备，可以显著提升ECC译码器的纠错能力，减少Read Retry的尝试次数。 |
