NAND闪存的数据读操作电压施加方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202111512765.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203236A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203236A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | G11C16/04（2006.01）I;G11C16/08（2006.01）I;G11C16/26（2006.01）I;G11C16/30（2006.01）I;G06F3/06（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 张易;薛红军;孙丽华 | 申请（专利权）人 | 北京得瑞领新科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李丽颖 |
| 地址 | 100192北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园北领地B-6号楼A座9层A905室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种NAND闪存的数据读操作电压施加方法及装置、计算机可读介质，方法包括：在对NAND闪存中的每一个页的读操作时，向第一字线施加读电压，向第二字线施加导通电压，向第三字线施加第一电压；第一字线为待读页对应的字线，第三字线为与第一字线相邻的多个字线，二字线为待读页对应的块中除了第一字线和第三字线之外的字线；第一电压为导通电压与第一补偿电压之和，第一补偿电压小于第二补偿电压，第二补偿电压为仅向与第一字线相邻的一个上层字线和一个下层字线进行电压补偿时所采用的补偿电压。本发明相对于现有技术可以降低电势差对与所读层相邻的上下各一层的存储单元相对其他层更大的读干扰影响。 |
