一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层
基本信息
| 申请号 | CN202021779195.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214043696U | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN214043696U | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐良;刘建哲;李昌勋;孙海定;郭炜;李京波 | 申请（专利权）人 | 黄山博蓝特半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖众汇知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹宏筠 |
| 地址 | 245000安徽省黄山市黄山九龙低碳经济园区翠薇北路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层，包括衬底，依次叠加设置在衬底上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P型GaN层以及金属接触层；所述多量子阱包括若干对GaN层和InGaN层交替堆叠的周期性结构及设置在周期性结构上的量子垒层，所述量子垒层包括非故意掺杂GaN层﹑超晶格层以及设置在超晶格层上的P型InGaN层；所述超晶格层包括若干对交替堆叠的非故意掺杂的InxGa1‑xN和非故意掺杂的AlyGa1‑xN。本实用新型中的多量子阱中的量子垒层，能够有效减轻LQB附近的能带弯曲，降低阱垒层极化效应，提高GaN基绿光LED发光效率，可广泛应用于半导体照明技术领域。 |
