一种高亮度深紫外LED用图形化蓝宝石衬底及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010472434.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111613704B | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN111613704B | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | H01L33/20;H01L33/12;H01L33/46;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐良;郭炜;孙海定;李昌勋;史伟言;刘建哲;李京波;夏建白 | 申请（专利权）人 | 黄山博蓝特半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖众汇知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹宏筠 |
| 地址 | 245000 安徽省黄山市黄山九龙低碳经济园区翠薇北路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高亮度深紫外LED用图形化蓝宝石衬底及其制备方法。该蓝宝石衬底，包括蓝宝石晶片，所述蓝宝石晶片包括晶片C面，在晶片C面上分布有刻蚀孔，所述刻蚀孔包括底部沉孔和扩孔，所述晶片C面及扩孔的表面沉积有一层AlN/AlGaN薄膜，所述底部沉孔内设置有纳米级图形或DBR反射层。该高亮度深紫外LED用图形化蓝宝石衬底的制备方法依次为涂胶、纳米压印，刻蚀，沉积AlN/AlGaN薄膜，涂胶，曝光、显影，刻蚀，涂胶，曝光、显影，沉积纳米晶粒或沉积DBR反射层等工序。通过本发明获得的图形化蓝宝石衬底结构，能够显著提高蓝宝石晶片的深紫外光折射率，进而大幅度提高LED器件的光提取率，最终提高UVCLED的亮度,该图形化衬底技术可广泛应用于UVCLED制造领域。 |
