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一种提高UVLED出光效率的外延片

基本信息

申请号 CN202021786531.5 申请日 -
公开（公告）号 CN212517228U 公开（公告）日 2021-02-09
申请公布号 CN212517228U 申请公布日 2021-02-09
分类号 H01L33/12(2010.01)I; 分类 基本电气元件;
发明人 徐良;刘建哲;史伟言;孙海定;郭炜;夏建白 申请（专利权）人 黄山博蓝特半导体科技有限公司
代理机构 芜湖众汇知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 曹宏筠
地址 245000安徽省黄山市黄山九龙低碳经济园区翠薇北路66号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种提高UV LED出光效率的外延片，所述外延片从下到上依次为图形化蓝宝石衬底、超晶格缓冲层、3D GaN层、N型GaN层、N型AlGaN层、InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN接触层；所述超晶格缓冲层为由若干对AlN/AlGaN/GaN/AlGaN交替堆叠组成的超晶格结构；所述图形化蓝宝石衬底为镀有AlN的图形化蓝宝石衬底。通过本实用新型的外延片结构，一方面可以降低GaN外延层中的位错密度，从而提高量子阱中的辐射复合效率；另一方面在缓冲层质量提高对整个多量子阱的发光产生更少的吸光效应，从而可以有效的提高光的反射，提高UV LED的出光效率。