一种高内量子效率的绿光LED磊晶结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高内量子效率的绿光LED磊晶结构

基本信息

申请号	CN202021779199.X	申请日	-
公开（公告）号	CN213692084U	公开（公告）日	2021-07-13
申请公布号	CN213692084U	申请公布日	2021-07-13
分类号	H01L33/12（2010.01）I;H01L33/04（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	徐良;刘建哲;李昌勋;陈雷;蒋阳;李京波	申请（专利权）人	黄山博蓝特半导体科技有限公司
代理机构	芜湖众汇知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹宏筠
地址	245000安徽省黄山市黄山九龙低碳经济园区翠薇北路66号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种高内量子效率的绿光LED磊晶结构，包括衬底，依次叠加设置在衬底上的AlN缓冲层、缺陷湮灭层、u‑GaN层、N‑GaN层、发光层、电子阻挡层和P‑GaN层；所述缺陷湮灭层由若干对交替堆叠的AlN/GaN组成。所述AlN/GaN的周期重复数大于10，所述AlN的厚度为2～10nm，GaN的厚度为15～30nm。本实用新型在现有结构上增加了缺陷湮灭层，缺陷湮灭层采用AlN/GaN交替堆叠的结构能够将AlN缓冲层未阻挡掉的缺陷（缺陷密度约10cm）进一步进行降低。缺陷延伸到缺陷湮灭层的超晶格界面处会发生转向和湮灭，多周期交替生长的结构能够将缺陷密度降低到10/cm量级。可广泛应用于绿光LED磊晶领域。