一种高正向浪涌电流能力的SiC二极管及加工工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110750007.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471300A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471300A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L29/861（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张振中;郝建勇 | 申请（专利权）人 | 杭州中瑞宏芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州新源专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐炜豪 |
| 地址 | 311121浙江省杭州市余杭区五常街道文一西路998号4幢804室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高正向浪涌电流能力的SiC二极管及加工工艺,包括SiC层（1），SiC层（1）上设有若干第一沟槽（2），第一沟槽（2）的中部上端设有第二沟槽（3），第二沟槽（3）内填充有浅P+grid层，第一沟槽（2）和第二沟槽（3）之间填充有深P‑grid层，SiC层（1）的外部设有离子注入层（4）。本发明能够进一步提高SiC二极管的正向浪涌电流能力。 |
