一种反向恢复时间短的FRD二极管及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110147809.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112768509A | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN112768509A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/868 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张振中;郝建勇;孙军 | 申请（专利权）人 | 杭州中瑞宏芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州新源专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 郑双根 |
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区仓前街道仓兴路1号7幢708-4室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种反向恢复时间短的FRD二极管及制备方法,包括N型硅衬底层（1），N型硅衬底层（1）表面分布有若干沟槽（2），沟槽（2）内侧设有P+衬底结构（3），N型硅衬底层（1）的外部设有N型硅外延层（4），N型硅外延层（4）的内侧将沟槽（2）完全填充。本发明通过在N型硅衬底层表面形成的沟槽和P+衬底结构的配合，能够有效提高FRD二极管的反向恢复时间和高温可靠性，并避免对产线造成的污染；同时，沟槽的设置还能够提高FRD二极管的电流密度，从而在提高性能的基础上弥补因工艺造成的正向导通压降增大问题，使本发明同时具有反向恢复时间短、无产线污染和正向导通压降小的特点。 |
