一种高浪涌电流型SiC二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011123353.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112186029A | 公开（公告）日 | 2021-01-05 |
| 申请公布号 | CN112186029A | 申请公布日 | 2021-01-05 |
| 分类号 | H01L29/16;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张振中;郝建勇;孙军 | 申请（专利权）人 | 杭州中瑞宏芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州新源专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 郑双根 |
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区仓前街道仓兴路1号7幢708-4室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高浪涌电流型SiC二极管,包括SiC衬底（1），SiC衬底（1）表面设有深P‑grid层（2），深P‑grid层（2）外部设有浅P+grid层（3）。本发明通过在SiC衬底表面形成的浅P+grid层，能够替代现有SiC二极管中的Ni‑Ohmic层起到提高正向浪涌电流的效果；同时通过LP‑SiO2‑Spacer层的刻蚀可以使浅P+grid层在加工时无需单独光刻成型，进而相比现有的SiC二极管加工工艺能够减少一层光罩，具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。 |
