一种基于GaAspHEMT工艺和GaN工艺的功率开关
基本信息
| 申请号 | CN202210052613.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114421936A | 公开（公告）日 | 2022-04-29 |
| 申请公布号 | CN114421936A | 申请公布日 | 2022-04-29 |
| 分类号 | H03K17/042（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 陈阳平;苏黎明;毋茜 | 申请（专利权）人 | 成都明夷电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都君合集专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 尹新路 |
| 地址 | 610000四川省成都市高新区德华路333号谢威中心A座9层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种基于GaAs pHEMT工艺和GaN工艺的功率开关；驱动放大器部分采用GaAs pHEMT工艺，开关部分采用GaN工艺；相比于其他工艺，GaAs pHEMT工艺具有更高的电子迁移率和优异的功率性能，可以在更低温度下工作，提供更大的电流密度和电子迁移率，使得工作频率和增益有所提高；与传统的Si功率器件相比，GaN功率开关具有较低的导通电阻和更快的开关性能，是高开关频率和高效率操作的最优选择之一。当开关频率增加到MHz级时，软开关对于进一步减小开关损耗和提高效率起着重要作用；本发明与传统功率开关相比，可以实现低的开关损耗而不显著增加其导通损耗。 |
