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一种高耐压的SOICMOS射频开关

基本信息

申请号	CN202111609479.5	申请日	-
公开（公告）号	CN114039584A	公开（公告）日	2022-02-11
申请公布号	CN114039584A	申请公布日	2022-02-11
分类号	H03K17/041（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I	分类	基本电子电路;
发明人	赵鹏	申请（专利权）人	江苏乾合微电子有限公司
代理机构	无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙）	代理人	郭慧
地址	214400江苏省无锡市江阴市澄江东路99号
法律状态	-

摘要

本发明涉及射频开关技术领域,公开了一种电容补偿式SOI CMOS射频开关，包括一个固定端和至少一个选择端，每个选择端与固定端之间构成一条通道，每条通道的主路径为M个级联的开关管，每条通道的开关管的栅极连接同一个控制电压，每个开关管的源极和漏极之间均连接有电阻，每条通道从固定端开始选取N个连续的开关管，N个连续的开关管的源极和漏极之间分别连接有电容，开关管的源极和漏极之间的电容与该开关管的漏极和源极之间的电阻并联，在实际使用时，N个连续的开关管的源极和漏极之间的电容可以使射频信号在关闭的通道上的开关管上均匀分布，保证关闭的通道上的开关管不会因为电压分布不均被击穿，进而提高整个射频开关的功率承载能力。