一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011629167.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695527A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695527A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/417（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李元 | 申请（专利权）人 | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区，还包括：衬底；电极结构，位于衬底一侧且位于有源区，电极结构包括多个漏极；介质层，位于电极结构远离衬底的一侧，介质层覆盖电极结构；多个漏极键合盘，漏极键合盘在衬底所在平面的垂直投影与漏极在衬底所在平面上垂直投影交叠，且每个漏极键合盘还至少包括位于介质层远离衬底一侧的部分，漏极键合盘与漏极电连接。本发明提供的解决方案，将至少部分漏极键合盘设置于有源区，可大大减小无源区的面积，从而减小半导体器件的整体面积，提高半导体器件的集成度，进而大大降低芯片的成本。 |
