一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011635294.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695535A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695535A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李元 | 申请（专利权）人 | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区；该半导体器件还包括衬底；电极结构，位于衬底一侧且位于有源区，电极结构包括多个栅极以及与所述栅极相邻设置的多个相邻电极；介质层，位于电极结构远离衬底的一侧，介质层覆盖电极结构；多个栅极键合盘，每个栅极键合盘至少部分位于有源区且与相邻电极在衬底所在平面上的垂直投影部分重合，且每个栅极键合盘还至少包括位于介质层远离衬底一侧的部分，栅极键合盘与栅极电连接。本发明提供的半导体器件，将至少部分栅极键合盘设置于有源区，可大大减小无源区的面积，从而减小半导体器件的整体面积，提高半导体器件的集成度，进而大大降低芯片的成本。 |
