一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011629130.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695544A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695544A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李元;裴轶;徐广泽 | 申请（专利权）人 | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的非有源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧的多层半导体层；位于衬底一侧的至少一个屏蔽结构，屏蔽结构与预设电位电连接，用于形成所述有源区指向所述非有源区的电场或零电场。本发明实施例的技术方案，通过设置屏蔽结构，同时屏蔽结构与预设电位电连接，从而可以形成有源区指向非有源区的电场或零电场，有效屏蔽银离子，抑制其迁移至半导体芯片正面中心区域，得到性能稳定的半导体器件。 |
