一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011593625.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695531A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695531A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张乃千;吴星星;裴轶;宋晰 | 申请（专利权）人 | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的无源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧且位于有源区的至少两个栅极，至少两个栅极包括第一栅极和第二栅极；位于衬底一侧且位于无源区的至少一个栅极连接结构，栅极连接结构分别与第一栅极和第二栅极接触电连接；栅极连接结构和与其接触连接的栅极一体设置。采用上述技术方案，可以在兼顾功率和频率特性的同时，保证栅极结构稳定、性能稳定；还可以在满足不同频率和功率设计时，大大降低工业成本；并且半导体器件结构简单，工艺简单。 |
