一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011629151.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695545A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695545A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 裴轶;韩啸;李元 | 申请（专利权）人 | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括工作区以及围绕工作区的划片区；工作区包括有源区以及围绕有源区的无源区；半导体器件还包括：衬底、多层半导体层、栅极、栅极键合盘以及屏蔽结构；栅极键合盘与栅极电连接；通过增设屏蔽结构，有效屏蔽封装过程中的贴片银浆中的银离子迁移至键合盘，保证键合盘以及与键合盘连接的电极性能稳定，避免键合盘以及与键合盘连接的电极与源极发生短路，保证半导体器件可以正常工作。 |
