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一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件

基本信息

申请号 CN201810943230.X 申请日 -
公开（公告）号 CN110838514B 公开（公告）日 2022-07-22
申请公布号 CN110838514B 申请公布日 2022-07-22
分类号 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 孔苏苏 申请（专利权）人 苏州能讯高能半导体有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 -
地址 215300江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，半导体器件的外延结构包括衬底基板；位于衬底基板一侧的缓冲层；位于缓冲层远离衬底基板一侧的沟道层，沟道层中碳原子的掺杂浓度为C1，C1<1*1017cm‑3；位于沟道层远离缓冲层一侧的势垒层，势垒层与沟道层之间形成有二维电子气，其中，势垒层中碳原子的掺杂浓度为C2，C2<1*1017cm‑3。采用上述技术方案，通过合理设置沟道层和势垒层中碳原子的掺杂浓度，保证沟道层和势垒层中不会形成深能级缺陷，半导体器件的饱和电流输出效率正常，不会引起电流崩坍现象。