一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011599595.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695532A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695532A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋晰;韩鹏宇;王慧琴 | 申请（专利权）人 | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区和无源区；半导体器件还包括：位于衬底一侧的源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括第一端部和中间部，中间部、源极和漏极均位于有源区，第一端部位于无源区；第一端部包括第一子端部和第二子端部；沿第一方向，第一子端部的延伸宽度大于中间部的延伸宽度，第二子端部的延伸宽度大于第一子端部的延伸宽度；第一方向与源极指向漏极的方向平行。通过增大栅极端部的延伸宽度，增加栅极端部金属与衬底的接触面积，提高了器件封装效率，保证了栅极结构稳定、性能稳定，进一步提高半导体器件的工作稳定性和可靠性。 |
