低比表面积碳纳米管磷酸盐类嵌锂正极材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210584369.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103022489A | 公开（公告）日 | 2013-04-03 |
| 申请公布号 | CN103022489A | 申请公布日 | 2013-04-03 |
| 分类号 | H01M4/58(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谢宝东;毛鸥;郑涛 | 申请（专利权）人 | 北京天奈科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100023 北京市大兴区经济技术开发区科创2街9号B2-4 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了属于锂离子二次电池正极材料技术领域的一种低比表面积碳纳米管原位复合橄榄石型磷酸盐类嵌锂正极材料。该正极材料由磷酸盐嵌锂化合物和碳构成。本发明还公开了上述磷酸盐类嵌锂正极材料的制备方法。本发明制得的橄榄石型磷酸盐类嵌锂正极材料导电率高，高倍率性能好，而且比表面积低，具有良好的制浆与涂布加工性能。 |
