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一种静电放电保护电路及MCU芯片

基本信息

申请号 CN202123075990.X 申请日 -
公开（公告）号 CN216698363U 公开（公告）日 2022-06-07
申请公布号 CN216698363U 申请公布日 2022-06-07
分类号 H01L27/02（2006.01）I;H02H9/00（2006.01）I;H02H9/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张虚谷;康泽华;吴国斌 申请（专利权）人 珠海极海半导体有限公司
代理机构 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 519060广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-68710（集中办公区）
法律状态 -

摘要

摘要 本申请实施例提供一种静电放电保护电路及MCU芯片，静电放电保护电路包括N阱、P阱、第三P型重掺杂区及N型掺杂区，N阱包括第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区；P阱包括第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区；第三P型重掺杂区跨设于N阱和P阱上；N型掺杂区位于第三P型重掺杂区远离N阱与P阱交界处的一侧；第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区均与阳极电连接，第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和N型掺杂区均与阴极电连接。在本申请中，利用跨接的第三P型重掺杂区实现静电放电保护电路触发电压的降低。同时利用Y型结构的二极管组提高对静电放电事件的响应速度，增强静电电流的泄放能力以及泄放电流电路的使用寿命和泄放效果。