高电子迁移率晶体管专利查询专利号|摘要-满商公司网

高电子迁移率晶体管

基本信息

申请号	CN201710220931.6	申请日	-
公开（公告）号	CN108695384A	公开（公告）日	2018-10-23
申请公布号	CN108695384A	申请公布日	2018-10-23
分类号	H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	李宝国;陈容传;多新中;马勇	申请（专利权）人	北京华通芯电科技有限公司
代理机构	北京英创嘉友知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	北京华通芯电科技有限公司
地址	100097 北京市海淀区丰慧中路7号新材料创业大厦8层818-113
法律状态	-

摘要

本公开涉及一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底、沟道层、势垒层、漏极、栅极、源极以及多个保护层，衬底、沟道层、势垒层由下至上依次堆叠，源极和漏极分别形成在势垒层上表面的左右两端，栅极形成在源极和漏极之间且分别与源极和漏极间隔；多个保护层堆叠设置在源极和漏极之间的势垒层上表面且覆盖在栅极上；多个保护层中的每个保护层包括钝化层和形成在钝化层上的屏蔽层，多个保护层中的屏蔽层从栅极的边缘自下而上逐渐趋近漏极；多个保护层中位于最下方的屏蔽层与栅极在垂直于势垒层上表面方向上的投影至少部分重叠。通过本公开的技术方案，可以在不增加高电子迁移率晶体管导通电阻的情况下提高其击穿电压，同时减少寄生输入电容和反馈电容。