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氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路

基本信息

申请号 CN201720674856.6 申请日 -
公开（公告）号 CN207070035U 公开（公告）日 2018-03-02
申请公布号 CN207070035U 申请公布日 2018-03-02
分类号 H03K17/08 分类 基本电子电路;
发明人 多新中;陈容传;李宝国;马勇 申请（专利权）人 北京华通芯电科技有限公司
代理机构 北京英创嘉友知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 北京华通芯电科技有限公司
地址 100094 北京市海淀区丰慧中路7号新材料创业大厦8层818-113
法律状态 -

摘要

摘要 本公开涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路。本公开氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路，包括：脉冲驱动电路、开关电路和过冲保护电路；所述脉冲驱动电路用于产生两路电平相反的脉冲信号；所述开关电路用于控制N型金属氧化物半导体NMOS的开通和关断；所述过冲保护电路用于控制所述氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT的漏极调制电路的输出电压。本公开采用NMOS作为电源与GaN HEMT的漏极之间的开关器件，其尺寸较小、价格相对便宜，降低了电路的整体成本与面积，并且解决了在电源电流剧烈变化时产生的巨大过冲，保护了GaN HEMT的漏极调制电路中的NMOS开关器件，提高了电路的可靠性。