一种端面耦合器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110493000.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113204132A | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN113204132A | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | G02F1/01（2006.01）I;G02F1/035（2006.01）I;G02F1/025（2006.01）I;G02B6/124（2006.01）I;G02B6/122（2006.01）I;G02B6/26（2006.01）I;G02B6/42（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 张燕;刘思旸;冯俊波 | 申请（专利权）人 | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 江苏坤象律师事务所 | 代理人 | 赵新民 |
| 地址 | 401332重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种端面耦合器，包括沿光源的输出光场方向依次设置的第一耦合区、相移区和第二耦合区；所述第一耦合区包括分束结构，将光源的输出光场分为至少两个第一光场，并全部耦入所述相移区；所述相移区内的光场记为第二光场，与所述第二光场一一对应设置有相位调制器；所述相移区输出的光场，记为第三光场，所述第三光场之间的相位差为0；所述第二耦合区包括合束结构，将所述第三光场全部耦入，合为一个终端光场。耦合效率高，进一步提高了对准容差，为封装插损的降低增加了新的自由度。本发明还提供的一种制备方法因能制备本发明的端面耦合器而具有相应优势，与CMOS工艺兼容性好，且仅需一次刻蚀，有利于工艺优化和生产改进。 |
